创盈配资甬兴证券：DDR4内存条上调报价市场成交已现乏力

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　　NAND：铠侠计划五年内将产量翻一番，以满足AI数据中心对NAND需求。根据DRAMexchange，上周（20250616-0620）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至6.06%，平均涨跌幅为1.47%。其中9个料号价格持平，13个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据科创板日报报道，日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂，四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。

　　DRAM：威刚称DDR4爆单，三季度合约价涨幅上看4成。根据DRAMexchange，上周（20250616-0620）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.37%至39.87%，平均涨跌幅为20.14%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，威刚表示，受惠DDR4需求爆棚，订单应接不暇。目前上游原厂对DRAM与NANDFlash价格态度仍相当强势，尤其是已规划逐步停产的DDR4，在下游提前备货的强大需求下，2025年第3季合约价涨势已喊出30-40%的幅度。

　　HBM：AMD发布新AI芯片MI350系列，MI355倍HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍。根据CFM闪存市场报道，AMD发布了专为AI工作负载打造的全新MI350系列GPU--MI350倍和MI355倍。其中，MI350倍和MI355倍采用相同的底层设计，配备高达288GB的HBM3E内存、8TB/s的内存带宽，并新增对FP4和FP6数据类型的支持。在与NVIDIAB200和GB200的对比中，MI355倍的HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍，内存带宽则基本持平。在峰值FP64/FP32性能上，MI355倍拥有2倍优势。

　　市场端：上周渠道DDR4内存条继续大幅上调报价，然现货市场成交已现乏力。根据CFM闪存市场报道，近期渠道资源从高端到底部低端料号价格自上而下全线走高，渠道存储厂商仍坚定强势拉涨DDR4UDIMM报价，不过，涨势如此迅猛的渠道DDR4内存条已令部分渠道客户望而却步，市场整体成交乏力。另外，受部分供应端资源释放涨价信号刺激，行业厂商尝试调涨SSD报价并力促客户谈定；嵌入式市场则整体暂时维持不变。

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